日本大塚电子（OTSUKA ELECTRONICS）椭偏膜厚仪简介

更新时间：2026-08-26

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大塚电子OTSUKA核心技术：分光干涉反射法（非接触、非破坏），通过解析薄膜上下界面反射光谱干涉波形，计算膜厚、折射率 n、消光系数 k；对标椭偏仪，性价比更高，广泛用于半导体、FPD、光学膜、DLC 涂层、光刻胶等场景。

宽带光源照射样品，薄膜上表面、基底界面产生两路反射光，发生光谱干涉；采集反射光谱，通过峰谷法、FFT、非线性最小二乘法拟合，解析单层 / 多层膜厚度、n/k 光学常数，无需接触样品，单点测量约 1 秒以内大塚电子
测试条件：SiO₂/Si 标准样、对焦良好、环境振动受控；光斑最小 3μm，微区测量。例：1000 nm SiO₂，重复精度≈0.7 nm；10 μm 膜，重复≈7 nm

主力机型系列

1. OPTM 显微分光膜厚仪（微区，对标椭偏仪）大塚电子(...

最小光斑3μm，适合芯片、晶圆微小区域测量，分 A 自动平台 / F 固定台 / H 嵌入头（产线集成）

OPTM‑A1：230‑800nm，膜厚1nm‑35μm（紫外‑可见光，SiO₂、SiN、光刻胶）
OPTM‑A2：360‑1100nm，膜厚7nm‑49μm（可见‑近红外）
OPTM‑A3：900‑1600nm，膜厚16nm‑92μm（近红外，厚膜、化合物半导体）
能力：最多解析50 层多层膜，输出 Mapping 面分布、3D 等高线，支持 2‑12 英寸晶圆；可做绝对反射率测试大塚电子(...。
典型样品：Si/SiO₂、SiC、GaN、光刻胶、ITO、DLC。

2. FE‑3000 / FE‑6000 反射分光膜厚计（台式通用型）大塚電子

FE‑3000：光纤式，光斑大，适合大面积样品，膜厚1nm‑40μm；最多解析 10 层膜；样品最大 200×200mm。
FE‑6000：扩展近红外波段，支持更厚膜，可测到百微米级别。
用途：FPD 面板、光学 AR/HC 膜、PET 薄膜、DLC、半导体来料抽检；实验室 / 离线检测。

3. FE‑5000 光谱椭偏型膜厚仪

兼具椭偏功能，测 Ψ/Δ 椭圆参数，超薄栅氧化膜、极薄多层介质膜，半导体前道工艺使用otsukael.c...。

4. TE‑系列晶圆产线型（Inline/Offline）

2‑12 英寸晶圆，分光干涉，高速 Mapping；适配研磨、薄化、晶圆键合制程；可集成设备产线。

5. SM‑100 手持便携膜厚仪

现场抽检，0.1‑100μm，非接触探头，产线现场快速筛查，精度低于台式机大塚電子。