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HAMAMATSU/滨松InGaAsPIN光电二极管
产品简介:

HAMAMATSU/滨松InGaAsPIN光电二极管
HAMAMATSU 滨松光子,全称滨松光子学株式会社(Hamamatsu Photonics K.K.),日本全球顶尖光子科技企业,1953 年创立,总部静冈县滨松市,是光电子、射线检测、激光设备领域龙头厂商,核心产品线,光电倍增管 PMT,光半导体器件,X 射线 / 射线发生装置,激光器与光学仪器,整机检测设备。

产品型号:G8370

更新时间:2026-07-16

厂商性质:代理商

访问量:8

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产品介绍

HAMAMATSU/滨松InGaAsPIN光电二极管

HAMAMATSU 滨松光子,全称滨松光子学株式会社(Hamamatsu Photonics K.K.),日本全球顶尖光子科技企业,1953 年创立,总部静冈县滨松市,是光电子、射线检测、激光设备领域龙头厂商,核心产品线,光电倍增管 PMT,光半导体器件,X 射线 / 射线发生装置,激光器与光学仪器,整机检测设备。

具有大感光面 (φ10 mm) 的陶瓷封装

特点

- 大感光面:φ10 mm

- 高灵敏度:典型值为 0.95 A/W (λ = 1.55 μm)

- 低暗电流

- 低 PDL:典型值为 5 mdB,最大值为 10 mdB

- 光响应非均匀性:±2% 典型值

HAMAMATSU/滨松InGaAsPIN光电二极管

详细参数:

受光面φ10.0 mm
像素数1
封装陶瓷
散热非冷却型
灵敏度波长范围0.9 μm 至 1.7 μm
最大灵敏度波长(典型值)1.55 μm
感光灵敏度(典型值)1 A/W
暗电流(最大值)2000 nA
截止频率(典型值)0.1 MHz
结电容(典型值)20000 pF
噪声等效功率(典型值)6×10-13 W/Hz1/2
测量条件典型值 Ta = 25°C,除非另有说明,感光灵敏度:λ = λp,暗电流:VR = 10 mV,截止频率:VR = 0 V,RL = 50 Ω,结电容:VR = 0 V,f = 1 MHz








































光谱灵敏度特性:

HAMAMATSU/滨松InGaAsPIN光电二极管
外形尺寸图:
HAMAMATSU/滨松InGaAsPIN光电二极管

HAMAMATSU/滨松InGaAsPIN光电二极管

一、产品基础定位

G8370 是滨松标准非制冷 InGaAs PIN 光电二极管,探测波段 900~1700nm(覆盖 1310/1550nm 光纤通信、短波红外光谱),分两大子类:
  1. 标准高速系列 G8370-01/02/03/05:TO-18 金属封装,小感光面、高带宽,光纤耦合、高速光功率监测;

  2. 低偏振损耗系列 G8370-81/82/83/85:TO 金属封装,1550nm 超低 PDL 偏振损耗,激光监控、光模块专用;

  3. 超大感光面 G8370-10:陶瓷封装,φ10mm 超大感光窗口,弱红外大面积接收。

统一基础参数(全系列通用)

  • 光谱响应:900~1700 nm

  • 峰值响应波长:1550 nm

  • 峰值灵敏度:0.9~1.1 A/W

  • 最大反向耐压 VR:5 V

  • 窗口:硼硅玻璃 1550nm 增透膜

  • 工作温度:-40℃ ~ +125℃

  • 通道数量:全部单通道,无阵列

二、各子型号详细参数对比

1)高速标准款(G8370-01/02/03/05)

型号感光面直径暗电流 Max (Vr=5V)-3dB 带宽结电容NEP 典型值封装
G8370-01φ1 mm100 nA35 MHz90 pF2×10⁻¹⁴ W/√HzTO-18
G8370-02φ2 mm550 nA25 MHz350 pF4×10⁻¹⁴ W/√HzTO-18
G8370-03φ3 mm1000 nA15 MHz750 pF6×10⁻¹⁴ W/√HzTO-18
G8370-05φ5 mm3500 nA5 MHz1250 pF1×10⁻¹³ W/√HzTO-18










2)低偏振损耗款(G8370-81/82/83/85,激光 / 光模块优选)

核心优势:1550nm 偏振相关损耗 PDL≤10mdB,偏振光测量误差小
型号感光面暗电流 Max带宽PDL 典型值封装
G8370-81φ1 mm5 nA35 MHz5 mdBTO-18
G8370-82φ2 mm25 nA25 MHz5 mdBTO-5
G8370-83φ3 mm75 nA2 MHz5 mdBTO-5
G8370-85φ5 mm250 nA0.6 MHz5 mdBTO-5










3)超大感光面 G8370-10(陶瓷封装)

  • 感光面:φ10 mm(总面积 78.54 mm²)

  • 暗电流最大:2 μA

  • 带宽:100 kHz

  • 结电容:20 nF

  • PDL 典型:5 mdB,响应均匀度 ±2%

  • 适用:大面积弱红外采集、红外积分球、宽光束监测

三、核心产品特点

  1. InGaAs 材料短波红外高灵敏

    硅 PD(S13885)仅到 1000nm,G8370 可测 1310/1550 通信红外,1550nm 灵敏度接近 1A/W。

  2. 低暗电流、低噪声

    8X 系列暗电流低至 5nA,适合微弱红外光检测,信噪比优异。

  3. 8X 系列超低偏振损耗 PDL

    激光功率监控、干涉仪、光纤传感,偏振态变化不会造成测量误差。

  4. 封装覆盖全场景

  • TO-18/TO-5 金属密封:小型光路、光纤耦合、PCB 直插;

  • 陶瓷封装 G8370-10:大光束、弱光采集。

  1. 无内置放大电路

    所有型号均为裸 PD,后端必须搭配低噪声跨阻放大器 TIA输出电压信号。

四、典型应用(适配半导体 / 光刻设备场景)

  1. 光纤激光监测

    1550nm 光纤激光器功率采样、激光寿命检测、光路实时能量监控(光刻设备红外辅助光路);

  2. 光纤通信 / 光模块

    光功率计、光纤收发器接收端、波分设备信号探测;

  3. 短波红外光谱分析

    近红外微型光谱仪单点检测、薄膜红外透过率 / 反射率测量;

  4. 工业红外测量

    红外干涉仪、气体红外吸收检测、晶圆红外薄膜厚度单点监测;

  5. 激光测距、红外无损检测

    单点红外信号采集、小范围光束能量校准。


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