日本进口HORIBA堀场辉光放电光谱仪
GD-Profiler 2™是一款由HORIBA（堀场）公司生产的射频辉光放电光谱仪‌，专用于材料表面及涂层的元素深度剖析，广泛应用于科研与工业质控领域。

日本进口HORIBA堀场辉光放电光谱仪

GD-Profiler 2™是一款由HORIBA（堀场）公司生产的射频辉光放电光谱仪‌，专用于材料表面及涂层的元素深度剖析，广泛应用于科研与工业质控领域。

该仪器采用‌脉冲射频辉光放电发射光谱（RF-GD-OES）技术‌，可对导体、半导体及非导体样品进行无损或微损分析，实现从表面几纳米至150微米深度范围内元素分布的逐层解析 。其深度分辨率可达‌亚纳米级（<1 nm）‌，能清晰识别纳米级薄膜的界面扩散与成分变化 。

核心特点：

‌元素分析范围广‌：可同步检测70多种元素，包括C、H、O、N等轻元素及金属元素，覆盖110–800 nm全光谱范围 。

‌高动态检测能力‌：配备高动态范围检测器（HDD），线性动态范围高达‌5×10⁹‌，可同时捕捉痕量杂质与主量成分 。

‌适用多种样品类型‌：脉冲射频模式可避免热敏感样品（如锂电池电极、有机涂层）的热损伤，保证成分真实性 。

‌分析高效快速‌：溅射速率可达2–10 nm/s，百纳米镀层仅需数十秒即可完成分析，适用于产线实时质控 。

‌符合国际标准‌：符合ISO 14707/16962标准，确保数据具备国际互认性 。

主要应用领域：

‌半导体与电子‌：LED晶圆、VCSEL芯片、硬盘镀层结构分析与逆向工程

‌新能源材料‌：光伏薄膜、锂电池电极/电解液材料的成分与寿命监控

‌工业涂层‌：镀锌钢板、彩涂板、PVD涂层的厚度、成分及有害元素测定

‌材料研发‌：监控渗氮渗碳、磷化/钝化膜等工艺过程

日本进口HORIBA堀场辉光放电光谱仪

GD-Profiler 2™ 可以快速、同时分析所有感兴趣的元素，包括气体元素N、O、H和Cl，是薄膜和厚膜表征和工艺研究的理想工具。

GD-Profiler 2™ 配备的射频源可在脉冲模式下对易碎样品进行测试，广泛应用于高校以及工业研究实验室，其应用范围有腐蚀研究、PVD 涂层工艺控制、PV 薄膜开发以及LED 质量控制等。

·射频发生器是 E 类标准，对稳定性和溅射坑形状都进行了优化以满足实时表面分析。

·射频源可以分析传统和非传统镀层和材料，对于易碎样品，还可以使用脉冲式同步采集优化测试。

·从 110nm到 800nm 同步全光谱覆盖，包括分析 H、O、C、N 和 Cl 的深紫外通道。

·HORIBA 研发的离子刻蚀型全息光栅具有高的光通量和光谱分辨率，光学效率和灵敏度都表现优良。

·HDD 探测器兼具检测速度和灵敏度。

·内置的微分干涉仪DIP可实时测量溅射坑深度和剥蚀速率。

·宽敞简洁的大样品仓易于装卸样品，操作简单。

·QUANTUM™ 软件配置了Tabler 报告编写工具。

·激光中心定位装置可定位样品测试位置。

 ·HORIBA 的辉光放电光谱仪可以选配单色仪，实现n+1元素通道的同时也提高了设备的灵活性。