代理DNK大日本科研化合物半导体用曝光装置
‌DNK大日本科研‌（大日本科研株式会社）是日本精密光刻设备制造商，其‌化合物半导体用曝光装置‌（Mask Aligner）专为高精度、多层对位的化合物半导体制造设计，广泛应用于GaAs、GaN、SiC等第三代半导体材料的器件研发与生产。

 代理DNK大日本科研化合物半导体用曝光装置

‌DNK大日本科研‌（大日本科研株式会社）是日本精密光刻设备制造商，其‌化合物半导体用曝光装置‌（Mask Aligner）专为高精度、多层对位的化合物半导体制造设计，广泛应用于GaAs、GaN、SiC等第三代半导体材料的器件研发与生产。

核心产品系列：化合物半导体用曝光装置（MA-4000 系列）

‌MA-4000 型 掩膜对准曝光机‌

‌适用基板‌：GaAs、GaN、SiC、蓝宝石等化合物半导体晶圆

‌晶圆尺寸‌：支持 ‌2英寸至6英寸‌（ø2"〜ø6"）

‌对位精度‌：‌±1 μm‌（峰值搜索，自动对位）

‌曝光方式‌：

软接触曝光

硬接触曝光（真空密着式）

接近式曝光（Proximity exposure）

‌光源系统‌：

超高压汞灯（500W、1kW、2kW、3.5kW可选）

搭载‌镜面光学系统灯房‌（LAMP HOUSE），实现高照度与照射面内均匀性

‌核心特长‌：

采用‌独自的高速图像处理技术‌，实现高精度Wafer与掩膜对位

配备‌非接触预对位系统‌（Prealigner），避免薄型或翘曲晶圆损伤

支持‌自动掩膜更换机‌与‌掩膜存放库‌（最多5张），提升量产效率

可选配‌基板台温度控制系统‌与‌掩膜冷却系统‌，防止热伸缩影响对位精度

采用‌背面真空吸着方式‌，确保晶圆高速、稳定传送

该设备特别适用于LED、激光二极管、功率器件、射频器件等化合物半导体的微细图形转移，满足研发与小批量生产的高精度需求。

 代理DNK大日本科研化合物半导体用曝光装置

把涂有光刻胶的基板与掩膜重叠，光刻图形的曝光装置。为了实现多层曝光时的自动对位，装配有显微镜和X·Y·0对位台。自动进行基板的供給、对位、曝光、排出。

主要特长

·采用独自的平行调整机构,能够高精度地设定掩膜与Wafer间的近接间隙。

·利用独自的高速图像处理技术,实现高精度的对位。

·利用图像处理技术,使预对位可对应薄型基板或翘曲基板及水晶等易碎Wafer(选购项)。

·利用独自的接触压力精密控制机构,能够使Wafer与掩膜高精度地接触。

·通过Wafer的背面真空吸着方式,实现高速度和高精度以及稳定的自动搬送。