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产品型号：S2744
更新时间：2026-07-13
厂商性质：代理商
访问量：25
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产品分类
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HAMAMATSU 滨松光子，全称滨松光子学株式会社（Hamamatsu Photonics K.K.），日本全球顶尖光子科技企业，1953 年创立，总部静冈县滨松市，是光电子、射线检测、激光设备领域龙头厂商，核心产品线，光电倍增管 PMT，光半导体器件，X 射线 / 射线发生装置，激光器与光学仪器，整机检测设备。
大感光面硅 PIN 光电二极管
特点
- 与 BGO 和 CsI(TI) 闪烁体匹配的灵敏度
- 低电容
- 高速响应
- 高稳定性
- 良好的能量分辨率
详细参数：
| 受光面 | 20 × 10 mm |
|---|---|
| 封装 | 陶瓷 |
| 封装类别 | -- |
| 制冷 | 非冷却型 |
| 反向电压（最大值） | 100 V |
| 光谱响应范围 | 340 至 1100 nm |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 960 nm |
| 感光灵敏度（典型值） | 0.66 A/W |
| 暗电流（最大值） | 10000 pA |
| 截止频率（典型值） | 25 MHz |
| 结电容（典型值） | 85 pF |
| 噪声等效功率（典型值） | 4.7×10-14 W/Hz1/2 |
| 测量条件 | Ta = 25°C，典型值，感光灵敏度：λ = λp，暗电流：VR = 70 V，截止频率：VR = 70 V，结电容：VR = 70 V，f = 1 MHz，噪声等效功率：VR = 70 V，除非另有说明 |
光谱灵敏度特性：
外形尺寸图：
S2744 是滨松专为闪烁体探测、X 射线无损检测开发的超大矩形感光面硅 PIN 光电二极管，核心适配 BGO、CsI (Tl) 闪烁晶体，将射线转化的可见光高效转换成电信号，兼具100V 高反向耐压、低电容、高速响应三大特性，分为密封环氧款 S2744-08 与裸芯片无密封款 S2744-09 两个子型号。
二、两款子型号区分
| 型号 | 窗口 / 封装形式 | 核心差异 | 使用要求 |
|---|---|---|---|
| S2744-08 | 环氧树脂窗口陶瓷封装，密封型 | 芯片受树脂保护，可直接光路使用，防潮防污染 | 常规射线检测、成套闪烁探测器整机 |
| S2744-09 | 无窗口裸芯片、开放式陶瓷基底 | 感光面裸露，无保护层，量子效率更高（540nm 量子效率 85%） | 必须直接耦合贴合闪烁晶体，需严格防尘防潮 |
匹配闪烁晶体光谱
540nm 绿光量子效率高达 85%，与 CsI (Tl)、BGO 闪烁体发光波段高度契合，射线转换光信号采集效率高，能量分辨率表现优异。
超高耐压 100V
最大反向电压 100V，远高于常规 S1336/S2386（5V/30V），可施加高反压大幅降低结电容、提升响应速度，脉冲射线信号采集稳定。
大面积 + 低电容兼顾
20×10mm 超大感光面，但结电容仅 85pF（VR=70V），截止频率 25MHz，在大尺寸 PD 里属于高速规格，适合 TOF 时间计数、脉冲闪烁信号检测。
高稳定性、线性好
耗尽层厚度 0.3mm，光电流线性区间宽，长时间射线监测漂移小，适合工业无损探伤、安检设备连续工作。
两种封装方案灵活选型
密封款可直接装配；裸片款可直接粘接闪烁晶体，消除窗口界面光损耗，提升探测灵敏度。
光谱响应范围：340 ~ 1100nm（无深紫外，下限 340nm）
峰值响应波长：960nm
峰值灵敏度：0.66 A/W
最大反向电压 VR：100 V
最大暗电流：10000 pA（10nA）
端子结电容：85 pF
截止频率：25 MHz
噪声等效功率 NEP：4.7×10⁻¹⁴ W/√Hz
工作温度：-20℃ ~ +60℃；存储温度：-20℃ ~ +80℃
最大功耗：100 mW
感光面积
S2744：20×10mm 超大矩形，适配大块闪烁晶体；
S1336/S2386：最大仅 5.8×5.8mm 小方形，仅小型光路测光。
耐压能力
S2744：100V 高压反向偏置，高速性能更强；
通用 TO PD：5V/30V 上限，无法高反压驱动。
核心用途
S2744：X 射线安检、工业探伤、核辐射闪烁探测；
S1226/S1336：实验室分光、光源光功率测量。
封装结构
S2744 陶瓷裸片 / 环氧密封，无金属 TO 外壳；常规型号为 TO 金属气密封装。
X 射线无损检测：工业探伤、行李安检机、CT 小型检测设备；
核辐射闪烁探测：搭配 CsI (Tl)/BGO 晶体做成闪烁探测器；
高能物理实验：TOF 飞行时间计数器、 hodoscope 闪烁阵列；
辐射监测设备：环境射线剂量检测仪、工业在线辐射监控。
S2744-09 裸芯片无保护窗口，粉尘、潮气、手指触碰会直接损伤感光芯片，耦合晶体全程无尘操作；
推荐 70~100V 反向偏置工作，提升响应速度、降低结电容；
光谱下限 340nm，无法用于 340nm 以下深紫外检测，紫外场景选 BQ 石英窗型号；
暗电流 10nA 高于精密测光 PD，仅适合中强光（闪烁光）场景，不适合超微弱稳态紫外分光；
陶瓷基板无金属屏蔽，射线探测整机需额外增加电磁屏蔽外壳降低噪声。
