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HAMAMATSU/滨松大受光面硅 PIN 光电二极管
产品简介:

HAMAMATSU/滨松大受光面硅 PIN 光电二极管
HAMAMATSU 滨松光子,全称滨松光子学株式会社(Hamamatsu Photonics K.K.),日本全球顶尖光子科技企业,1953 年创立,总部静冈县滨松市,是光电子、射线检测、激光设备领域龙头厂商,核心产品线,光电倍增管 PMT,光半导体器件,X 射线 / 射线发生装置,激光器与光学仪器,整机检测设备。

产品型号:S3204

更新时间:2026-07-14

厂商性质:代理商

访问量:16

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产品介绍

HAMAMATSU/滨松大受光面硅 PIN 光电二极管

HAMAMATSU 滨松光子,全称滨松光子学株式会社(Hamamatsu Photonics K.K.),日本全球顶尖光子科技企业,1953 年创立,总部静冈县滨松市,是光电子、射线检测、激光设备领域龙头厂商,核心产品线,光电倍增管 PMT,光半导体器件,X 射线 / 射线发生装置,激光器与光学仪器,整机检测设备。

大受光面硅 PIN 光电二极管

特点

- 与 BGO 和 CsI(TI) 闪烁体匹配的灵敏度

- 低电容

- 高速响应

- 高稳定性

- 良好的能量分辨率

详细参数:

受光面18 × 18 mm
封装陶瓷
封装类别--
制冷非冷却型
反向电压(最大值)100 V
光谱响应范围340 至 1100 nm
最大灵敏度波长(典型值)960 nm
感光灵敏度(典型值)0.66 A/W
暗电流(最大值)20000 pA
截止频率(典型值)20 MHz
结电容(典型值)130 pF
噪声等效功率(典型值)6.6×10-14 W/Hz1/2
测量条件Ta = 25°C,典型值,除非另有说明,
感光灵敏度:λ = λp,暗电流:VR = 70 V,截止频率:VR = 70 V,结电容:VR = 70 V,f = 1 MHz,噪声等效功率:VR = 70 V






















































光谱灵敏度特性:
HAMAMATSU/滨松大受光面硅 PIN 光电二极管
外形尺寸图:
HAMAMATSU/滨松大受光面硅 PIN 光电二极管

HAMAMATSU/滨松大受光面硅 PIN 光电二极管

一、型号与基础定位

完整系列型号:S3204-08、S3204-09,二者光学核心参数一致,仅封装窗口工艺有区分
  • 品类:超大感光面 Si PIN 光电二极管(滨松专为闪烁体耦合、X 射线无损检测设计)

  • 封装:陶瓷基板 + 环氧树脂无密封窗口,单像素方形感光区

  • 核心定位:18×18mm 超大受光面、高反向耐压、适配闪烁晶体耦合,用于射线成像、辐射探测、大面积光能量采集

  • 区分后缀:

    • S3204-08:标准环氧窗口,通用工业检测

    • S3204-09:薄型环氧窗口,适配紧贴闪烁片贴合安装

二、核心光电电气参数(Ta=25℃,VR=70V 标准测试条件)

1. 感光面规格

有效受光区域:18 mm × 18 mm,感光面积 324 mm²,远大于 S3071 (φ5mm)、S2833 (2.4×2.8mm),超大采光面积是核心优势

2. 光谱响应特性

  • 响应波段:340 nm ~ 1100 nm(紫外 - 可见光 - 近红外)

  • 峰值响应波长:960 nm

  • 峰值灵敏度:0.66 A/W,近红外转换效率优秀;540nm 可见光量子效率高达 85%,适配闪烁晶体发光波长

3. 高速与电容指标

  • 截止频率 (-3dB):20 MHz

  • 零偏结电容典型值:130 pF

  • 响应速度中等,兼顾大面积采光与脉冲光采集,适合射线脉冲信号检测

4. 电气极限参数

  • 最大反向耐压 VRmax:100 V(行业同尺寸管耐压高,推荐工作 70V 偏压)

  • 最大暗电流(VR=70V):20000 pA = 20 nA(暗电流偏大,不适合超微弱静态测光)

  • 最大耗散功率:100 mW

  • 噪声等效功率 NEP:6.6×10⁻¹⁴ W/√Hz

5. 温度环境

  • 工作温度:-20 ℃ ~ +60 ℃

  • 存储温度:-20 ℃ ~ +80 ℃

三、产品核心特点

  1. 超大全方形感光窗口

    18×18mm 大面积,可直接耦合 BGO、CsI (Tl) 闪烁晶体,无需复杂光路聚焦,射线检测模组结构大幅简化,行李安检、工业探伤主流搭配器件。

  2. 超高反向耐压 100V

    加高反向偏压可显著压低结电容、提升带宽,同时降低脉冲信号拖尾,适配高能射线产生的短脉冲光信号采集。

  3. 高量子效率匹配闪烁体

    可见光波段 QE 高达 85%,匹配闪烁晶体受 X/γ 射线激发发出的绿光 / 黄光,能量分辨率表现优异。

  4. 陶瓷基板封装稳定性强

    陶瓷基底散热好、形变小,长期工业探伤、安检设备连续工作漂移低;环氧无密封窗口可直接贴合晶体,减少光反射损耗。

  5. 线性度优秀

    PIN 结构输出光电流与入射光子能量线性正比,可精准量化射线强度、光总能量。


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