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HAMAMATSU/滨松大受光面硅PIN光电二极管
产品简介:

HAMAMATSU/滨松大受光面硅PIN光电二极管
HAMAMATSU 滨松光子,全称滨松光子学株式会社(Hamamatsu Photonics K.K.),日本全球顶尖光子科技企业,1953 年创立,总部静冈县滨松市,是光电子、射线检测、激光设备领域龙头厂商,核心产品线,光电倍增管 PMT,光半导体器件,X 射线 / 射线发生装置,激光器与光学仪器,整机检测设备。

产品型号:S3584

更新时间:2026-07-14

厂商性质:代理商

访问量:20

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产品介绍

HAMAMATSU/滨松大受光面硅PIN光电二极管

HAMAMATSU 滨松光子,全称滨松光子学株式会社(Hamamatsu Photonics K.K.),日本全球顶尖光子科技企业,1953 年创立,总部静冈县滨松市,是光电子、射线检测、激光设备领域龙头厂商,核心产品线,光电倍增管 PMT,光半导体器件,X 射线 / 射线发生装置,激光器与光学仪器,整机检测设备。

大受光面硅 PIN 光电二极管

特点

- 与 BGO 和 CsI(TI) 闪烁体匹配的灵敏度

- 低电容

- 高速响应

- 高稳定性

- 良好的能量分辨率
HAMAMATSU/滨松大受光面硅PIN光电二极管

详细参数:

受光面28 × 28 mm
封装陶瓷
封装类别--
制冷非冷却型
反向电压(最大值)100 V
光谱响应范围340 至 1100 nm
最大灵敏度波长(典型值)960 nm
感光灵敏度(典型值)0.66 A/W
暗电流(最大值)30000 pA
截止频率(典型值)10 MHz
结电容(典型值)300 pF
噪声等效功率(典型值)8.6×10-14 W/Hz1/2
测量条件Ta = 25°C,典型值,感光灵敏度:λ = λp,暗电流:VR = 70 V,截止频率:VR = 70 V,结电容:VR = 70 V,f = 1 MHz,噪声等效功率:VR = 70 V,除非另有说明












































光谱灵敏度特性:
HAMAMATSU/滨松大受光面硅PIN光电二极管

外形尺寸图:

HAMAMATSU/滨松大受光面硅PIN光电二极管

HAMAMATSU/滨松大受光面硅PIN光电二极管

一、型号与产品定位

完整子型号:S3584-08、S3584-09
  • 品类:超大方形受光面 Si PIN 光电二极管,与 S3204 同属闪烁体耦合 / X 射线检测专用系列

  • 封装:陶瓷基板无密封环氧窗口、直插引脚

  • 核心定位:28×28mm 行业超大感光窗口,适配大型安检机、工业探伤、高能辐射探测,专门搭配 CsI (Tl)、BGO 闪烁晶体采集射线激发光信号

  • 后缀区分:

    • S3584-08:标准环氧窗口,通用装配

    • S3584-09:超薄环氧窗口,可紧贴闪烁晶体,减少光反射损耗

二、标准光电电气参数(Ta=25℃,VR=70V 测试条件)

1. 感光面规格

有效受光区域:28 mm × 28 mm,感光面积 784 mm²,远大于 S3204(18×18mm)、S3071/S3072(φ3/φ5mm),采光覆盖范围极大

2. 光谱响应特性

  • 光谱区间:340 nm ~ 1100 nm(紫外–可见光–近红外)

  • 峰值响应波长:960 nm

  • 峰值灵敏度:0.66 A/W(960nm);540nm 可见光量子效率 85%,匹配闪烁晶体发光波段

3. 带宽与电容(大面积短板)

  • -3dB 截止频率:10 MHz(受超大面积限制,带宽低于 S3204 的 20MHz)

  • 终端结电容典型值:300 pF

4. 极限电气指标

  • 最大反向耐压 VRmax:100 V,标准推荐工作偏压 70V,加高偏压可降低电容、优化脉冲拖尾

  • 最大暗电流(VR=70V):30000 pA = 30 nA,暗电流高于 S3204,静态弱光测量噪声偏大

  • 最大耗散功率:100 mW

  • 噪声等效功率 NEP:8.6×10⁻¹⁴ W/√Hz

5. 温区范围

  • 工作温度:-20 ℃ ~ +60 ℃

  • 存储温度:-20 ℃ ~ +80 ℃

三、核心产品特点

  1. 28mm 超大全方形感光窗口

    市面常规 PIN 管最大仅 18mm,S3584 大幅降低光路聚焦难度,无需复杂透镜,可直接贴合大面积闪烁片,简化安检、探伤设备光学结构。

  2. 高量子效率适配闪烁探测器

    可见光波段转换效率高,搭配 CsI/BGO 晶体时,射线能量分辨率表现优秀,是大型行李安检机标配器件。

  3. 陶瓷基底稳定耐用

    陶瓷基板热膨胀系数低、散热好,工业设备 7×24 小时连续工作温漂小;环氧无密封窗口可直接和闪烁体光学耦合,减少光损耗。

  4. 超高 100V 反向耐压

    大面积器件普遍电容高,加高 70V 反向偏压可显著压低结电容,改善脉冲信号拖尾,适配 X/γ 射线短脉冲光采集。

  5. 线性度优异

    光电流与入射光能量线性正比,可精准量化射线强度、累积光总能量。

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