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HAMAMATSU/滨松低电容硅PIN光电二极管
产品简介:

HAMAMATSU/滨松低电容硅PIN光电二极管
HAMAMATSU 滨松光子,全称滨松光子学株式会社(Hamamatsu Photonics K.K.),日本全球顶尖光子科技企业,1953 年创立,总部静冈县滨松市,是光电子、射线检测、激光设备领域龙头厂商,核心产品线,光电倍增管 PMT,光半导体器件,X 射线 / 射线发生装置,激光器与光学仪器,整机检测设备。

产品型号:S3588

更新时间:2026-07-14

厂商性质:代理商

访问量:22

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产品介绍

HAMAMATSU/滨松低电容硅PIN光电二极管

HAMAMATSU 滨松光子,全称滨松光子学株式会社(Hamamatsu Photonics K.K.),日本全球顶尖光子科技企业,1953 年创立,总部静冈县滨松市,是光电子、射线检测、激光设备领域龙头厂商,核心产品线,光电倍增管 PMT,光半导体器件,X 射线 / 射线发生装置,激光器与光学仪器,整机检测设备。

大受光面硅 PIN 光电二极管

特点

- 与 BGO 和 CsI(TI) 闪烁体匹配的灵敏度

- 低电容

- 高速响应

- 高稳定性

- 良好的能量分辨率

详细参数:

受光面30 × 3 mm
封装陶瓷
封装类别--
制冷非冷却型
反向电压(最大值)100 V
光谱响应范围340 至 1100 nm
最大灵敏度波长(典型值)960 nm
感光灵敏度(典型值)0.66 A/W
暗电流(最大值)10000 pA
截止频率(典型值)40 MHz
结电容(典型值)40 pF
噪声等效功率(典型值)4.7×10-14 W/Hz1/2
测量条件Ta = 25°C,典型值,感光灵敏度:λ = λp,暗电流:VR = 70 V,截止频率:VR = 70 V,结电容:VR = 70 V,f = 1 MHz,噪声等效功率:VR = 70 V,除非另有说明












































光谱灵敏度特性:
HAMAMATSU/滨松低电容硅PIN光电二极管
外形尺寸图:

HAMAMATSU/滨松低电容硅PIN光电二极管

HAMAMATSU/滨松低电容硅PIN光电二极管

一、型号与产品定位

完整子型号:S3588-08、S3588-09
  • 品类:长条型大面积 Si PIN 光电二极管,闪烁探测器、X 射线检测专用,和 S3204/S3584 同属陶瓷无密封闪烁耦合系列
    • S3588-08:标准环氧窗口,通用装配;结电容 40pF,暗电流最大 10nA

    • S3588-09:超薄环氧窗口,紧贴闪烁体减少光反射损耗,电容略低、暗电流更小

    • 封装:陶瓷基板、环氧树脂窗口、无气密密封直插引脚
    • 核心特色:30×3mm 细长条形感光面,兼顾大采光长度与极低结电容、40MHz 高速带宽;匹配长条型 CsI (Tl)、BGO 闪烁晶体,用于多通道射线能谱、TOF 飞行时间探测
    • 后缀区分:
  • 二、标准光电电气参数(Ta=25℃,VR=70V 测试条件)

  • 1. 感光面规格

  • 有效受光区域:30 mm × 3 mm,感光面积 90 mm²(长条窄窗,区别 S3204/S3584 方形大面)
  • 2. 光谱响应特性

    • 响应波段:340 nm ~ 1100 nm(紫外–可见光–近红外)

    • 峰值响应波长:960 nm

    • 峰值灵敏度:0.66 A/W(960nm)

    • 540nm 可见光量子效率 85%,匹配闪烁晶体受射线激发发出的绿光 / 黄光,能量分辨率优异

3. 高速核心指标

  • -3dB 截止频率:40 MHz(远高于 S3204 的 20MHz、S3584 的 10MHz,长条窄面电容极低)

  • 终端结电容典型值:仅40 pF(VR=70V),大面积器件里带宽性能顶尖

4. 极限电气参数

  • 最大反向耐压 VRmax:100 V,标准推荐 70V 长期工作,压低电容、减小脉冲拖尾

  • 最大暗电流(VR=70V):10 nA(10000 pA),远优于 S3204 (20nA)、S3584 (30nA),基线噪声更低

  • 最大耗散功率:100 mW

  • 噪声等效功率 NEP:4.7×10⁻¹⁴ W/√Hz,同类型大面积管噪声控制优秀

5. 环境温度

  • 工作温度:-20 ℃ ~ +60 ℃

  • 存储温度:-20 ℃ ~ +80 ℃

三、核心产品特点

  1. 长条 30×3mm 特殊感光窗口

    适配线性阵列式长条闪烁晶体,多用于多通道射线探测、位置灵敏检测,方形 S3204/S3584 无法替代;长条形一次采集线性光束信号。

  2. 低电容 + 40MHz 高速响应

    对比方形大面积 PIN 管,窄条形结构大幅降低结电容,带宽提升 2~4 倍,可采集快速脉冲射线信号,脉冲拖尾极小,适合 TOF 飞行时间计数。

  3. 低暗电流,弱脉冲信号信噪比高

    最大暗电流仅 10nA,比同系列方形管低一半,微弱射线脉冲测量基线漂移更小,能提升探测器能量分辨率。

  4. 陶瓷基板稳定、可直接耦合闪烁体

    陶瓷基底温漂小、散热稳定;无金属气密层,环氧薄窗口可紧贴闪烁晶体,消除空气层光反射,光耦合效率更高。

  5. 线性度优良

    光电流与入射光子能量严格线性,可精准量化 X/γ 射线强度、脉冲光总能量。

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