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产品型号:S3590
更新时间:2026-07-14
厂商性质:代理商
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HAMAMATSU 滨松光子,全称滨松光子学株式会社(Hamamatsu Photonics K.K.),日本全球顶尖光子科技企业,1953 年创立,总部静冈县滨松市,是光电子、射线检测、激光设备领域龙头厂商,核心产品线,光电倍增管 PMT,光半导体器件,X 射线 / 射线发生装置,激光器与光学仪器,整机检测设备。
大受光面硅 PIN 光电二极管
特点
- 低电容
- 高速响应
- 高稳定性
- 良好的能量分辨率
- 与 BGO 和 CsI(TI) 闪烁体匹配的灵敏度
详细参数:
| 受光面 | 10 × 10 mm |
|---|---|
| 封装 | 陶瓷 |
| 封装类别 | -- |
| 制冷 | 非冷却型 |
| 反向电压(最大值) | 100 V |
| 光谱响应范围 | 340 至 1100 nm |
| 最大灵敏度波长(典型值) | 960 nm |
| 感光灵敏度(典型值) | 0.66 A/W |
| 暗电流(最大值) | 6000 pA |
| 截止频率(典型值) | 40 MHz |
| 结电容(典型值) | 40 pF |
| 噪声等效功率(典型值) | 3.8×10-14 W/Hz1/2 |
| 测量条件 | Ta = 25°C,典型值,感光灵敏度:λ = λp,暗电流:VR = 70 V,截止频率:VR = 70 V,结电容:VR = 70 V,f = 1 MHz,噪声等效功率:VR = 70 V,除非另有说明 |
光谱灵敏度特性:

外形尺寸图:
S3590-08:环氧树脂窗口,适配绿光闪烁体(CsI (Tl)、BGO)
S3590-09:裸芯片无封装(Unsealed),紧贴晶体无光损耗,绿光闪烁专用
S3590-18:环氧树脂窗口,优化蓝光响应,适配 LSO/GSO 蓝色闪烁晶体
S3590-19:裸芯片无封装,蓝光闪烁晶体专用
响应波段:340 nm ~ 1100 nm(紫外–可见光–近红外)
峰值波长:960 nm,近红外灵敏度最高
最大反向耐压 VRmax:100 V,标准推荐工作偏压 70V(压低结电容、优化脉冲拖尾)
最大耗散功率:100 mW
温度区间:工作 -20℃ ~ +60℃;存储 -20℃ ~ +80℃
-3dB 截止频率:40 MHz(大面积管顶尖带宽,和长条 S3588 持平)
典型结电容:40 pF(VR=70V),远低于 S3204 (130pF)、S3584 (300pF),高速脉冲信号无失真
噪声等效功率 NEP:3.8×10⁻¹⁴ W/√Hz(-08/-09)、7.6×10⁻¹⁴ W/√Hz(-18/-19)
| 参数 | S3590-08 | S3590-09 | S3590-18 | S3590-19 |
|---|---|---|---|---|
| 窗口结构 | 环氧树脂密封窗口 | 裸芯片无封装 | 环氧树脂密封窗口 | 裸芯片无封装 |
| 适配闪烁晶体 | CsI (Tl)、BGO(绿光 540nm) | CsI(Tl)、BGO | 蓝色晶体 LSO、GSO(400nm 蓝光) | LSO、GSO 蓝光晶体 |
| 960nm 峰值灵敏度 | 0.66 A/W | 0.66 A/W | 0.65 A/W | 0.58 A/W |
| 540nm 绿光灵敏度 | 0.36 A/W | 0.41 A/W | 0.38 A/W | 0.40 A/W |
| 400nm 蓝光灵敏度 | 0.20 A/W | 0.22 A/W | 0.28 A/W | 0.33 A/W |
| 最大暗电流 (VR=70V) | 6 nA | 6 nA | 10 nA | 10 nA |
工业探伤、行李安检(CsI/BGO 绿光晶体)→ S3590-08(标准环氧);直接贴合晶体无光路空气层 → S3590-09 裸片
PET、核医学、高能物理 LSO/GSO 蓝光闪烁体 → S3590-18;紧贴晶体低损耗 → S3590-19 裸片
10×10mm 中等面积 + 40MHz 高速兼顾
同尺寸方形 PIN 管极少做到 40MHz 带宽,结电容仅 40pF,脉冲射线信号拖尾极小,TOF 飞行时间计数精度高;对比 S3204 带宽翻倍、暗电流更低。
双光谱版本覆盖全主流闪烁晶体
分绿光、蓝光优化两款,匹配安检、医疗、核物理常用的 CsI/BGO/LSO/GSO 晶体,能量分辨率优异。
超低暗电流,弱脉冲信噪比高
-08/-09 最大仅 6nA,远低于 S3204 (20nA)、S3584 (30nA),微弱 X/γ 射线脉冲测量基线漂移小。
陶瓷基板稳定可靠
低热膨胀系数、散热均衡,设备 7×24 小时连续工作温漂低;环氧窗口款可直接装配,裸片款可涂耦合剂紧贴晶体,大幅提升光耦合效率。
100V 高反向耐压
加高 70V 偏压可进一步压低结电容、拓展带宽,适配短脉冲辐射信号采集。