日本进口HAMAMATSU/滨松雪崩光电二极管

HAMAMATSU 滨松光子，全称滨松光子学株式会社（Hamamatsu Photonics K.K.），日本全球顶尖光子科技企业，1953 年创立，总部静冈县滨松市，是光电子、射线检测、激光设备领域龙头厂商，核心产品线，光电倍增管 PMT，光半导体器件，X 射线 / 射线发生装置，激光器与光学仪器，整机检测设备。

一、基础定义与工作原理

APD（Avalanche Photodiode，雪崩光电二极管）

滨松 APD 是具备内部雪崩增益的光电探测器。施加接近击穿电压的高压反向偏置，光子入射产生电子 - 空穴对，载流子在强电场下碰撞电离形成雪崩效应，光电流得到数十～数百倍放大。

二、滨松 APD 两大材料产品线（核心选型分界）

1、硅 APD（Si-APD，市面用量最大）

光谱响应：320 nm ～ 1100 nm（紫外～可见光～近红外）

典型峰值：550～800 nm，适配 405/532/650/850/905 nm 激光

封装：TO-5、TO-18 金属封装、陶瓷封装、贴片型

光敏面可选：φ0.2 mm / φ0.5 mm / φ1 mm / φ2 mm / φ3 mm / φ5 mm，最大 10×10 mm

击穿电压区间：80 V～200 V（分低压型、标准型）

主流系列分类

1）短波长型 S8664、S16453 系列

320～1000 nm，可见光高量子效率，低结电容、高速；光谱蓝区（400–650 nm）优选。

2）近红外低偏压 S2381、S2384、S2385

800–905 nm 优化，击穿电压偏低（~150V），广泛用于激光测距、LiDAR。

3）低温系数型：增益随温度漂移更小，适合空间光通信 FSO。

4）TE 制冷型 Si APD：降低暗电流，极微弱光检测。

经典常用型号参考

S8664-05K：φ0.5mm，320–1000nm，高速，激光探测通用款

S2381：φ0.5mm，近红外低偏压，905nm 测距常用

S16453-20K：φ2mm 大光敏面，弱光光谱检测

2、铟镓砷 APD（InGaAs-APD，通信 / 长波红外）

光谱响应：950 nm ～ 1700 nm（1310/1550nm 光纤通信波段）

适用：光纤 OTDR、光纤通信、1550nm 激光雷达、气体红外检测

击穿电压远低于 Si APD（典型 20～60V）

可选常温型、TE 制冷低暗电流型号

注意：1550nm 激光雷达必须选用 InGaAs APD，硅 APD 在 1550nm 几乎无响应

三、滨松一体化 APD 模块（无需自行搭建高压电路）

很多工程直接选用集成模块，内置：APD 芯片 + 高压偏置电源 + 低噪声 I/V 运放 + 温度补偿电路

只需外部低压供电（常见 + 12V），直接输出电压信号。

代表型号：

C5658：高速 1GHz 带宽，φ0.5mm 光敏面，空间光通信、高速脉冲探测

C12702 / C12703 系列：标准灵敏度 / 高灵敏度两款，多种光敏面可选

优势：省去高压电源设计、增益温漂补偿电路，缩短开发周期。

四、核心关键电气参数（选型重点）

增益 M：典型 30～200，电压越接近击穿电压增益越高；增益越高噪声越大，存在较优工作点

击穿电压 Vbr：温度正系数（约 0.4～0.7 V/℃），温度升高击穿电压上升，必须做温度补偿稳定增益

暗电流 Id：无光照下漏电流，决定探测下限；温度升高暗电流急剧变大

NEP 噪声等效功率：数值越小，能探测越弱的光（滨松优质 Si APD 可达 5×10⁻¹⁶ W/√Hz）

截止频率 / 上升时间：决定脉冲响应速度；光敏面越小，结电容越低，速度越快

光敏面尺寸：光斑大选大面；光纤耦合、细光束优先 φ0.2/0.5mm

日本进口HAMAMATSU/滨松雪崩光电二极管

低偏压操作，适用于 800 nm 波段

特点

-在低偏压条件下稳定操作

- 高速响应

-高灵敏度和低噪声

详细参数：

光谱灵敏度特性：

外形尺寸图：