日本进口HORIBA堀场真空紫外椭偏仪
日本HORIBA（堀场）真空紫外椭偏仪 UVISEL 2 VUV‌ 是一款专为‌深紫外至近红外波段‌（VUV-FUV-NIR）薄膜材料高精度表征设计的科研级光谱椭偏仪，适用于对光学性能、电子结构及超薄层特性有严苛要求的前沿研究与制造领域。

日本进口HORIBA堀场真空紫外椭偏仪

日本HORIBA（堀场）真空紫外椭偏仪 UVISEL 2 VUV‌ 是一款专为‌深紫外至近红外波段‌（VUV-FUV-NIR）薄膜材料高精度表征设计的科研级光谱椭偏仪，适用于对光学性能、电子结构及超薄层特性有严苛要求的前沿研究与制造领域。

该设备核心聚焦于‌147 nm 起始波长的真空紫外光谱范围‌，突破常规椭偏仪的光谱极限，能够探测材料在高能光子区域的电子跃迁行为，广泛应用于‌157 nm 光刻技术、高k介质材料、有机半导体、抗反射涂层及新型功能薄膜‌的研发与质量控制。

核心性能亮点

‌超宽光谱覆盖‌：

光谱范围从 ‌147 nm 延伸至 2100 nm‌，横跨真空紫外（VUV）、远紫外（FUV）、紫外、可见到近红外，实现从电子能级到宏观光学响应的全谱段分析。

‌超高测量速度与效率‌：

采用 ‌50 kHz 高频相位调制技术（PEM）‌，无机械旋转部件，支持全谱扫描在 ‌8 分钟内完成‌，大幅提升实验通量。

‌低运行成本与快速换样‌：

系统采用隔离式设计，仅需对样品腔进行氮气清洗或抽真空，氮气消耗低至 ‌6 L/min‌，‌2 分钟内完成抽真空‌，显著提升样品更换效率。

‌高灵敏度与准确性‌：

在 VUV 波段具备信噪比，可精确测量‌亚纳米级超薄膜‌（如 HfO₂、Al₂O₃、TiO₂ 等高k材料）的厚度、光学常数（n, k）及界面特性。

‌灵活工作模式‌：

支持两种操作模式：

‌氮气清洗 + 抽真空‌

‌连续氮气清洗‌

适应不同实验环境与样品需求。

‌可定制化与自动化集成‌：

可根据用户需求配置自动化样品台（XYZ, θ）、Mapping 功能、液体池等附件，支持集成至 ‌UHV 腔体或卷对卷（roll-to-roll）生产线‌，满足原位（in-situ）监测需求。

日本进口HORIBA堀场真空紫外椭偏仪

UVISEL2VUV专为VUV测量设计，整个系统处于真空状态，无氧气吸收。具备高准确性;超快测量速度;快速样品室抽真空能力，方便快速更换样品;氮气消耗量少。光谱范围可覆盖147-2100nm。

UVISEL2VUV能够在充氮气或抽真空模型下工作。整个机械设计经过优化，氮气消耗量低至6L/min，载样速度快，2分钟内即可完成。真空样品仓门朝向操作人员更便于样品装载。

UVISEL2VUV在VUV波段具有高灵敏度，它集成了大功率双光源、高通量光学系统以及CaF2光弹调制晶体和两个时髦的单色仪。从147nm到850nm，样品测量时间少于8分钟，具有良好的信噪比。

UVISEL2VUV通过显著减少氮气消耗量、吹扫及测试时间,改变了VUV椭偏仪的世界。

DeltaPsi2软件提供了从测试到建模分析，输出报告，以及自动操作的全部功能控制，用户界面直观、友好，非常适用于科研及工业客户使用。

载样速度快

·吹扫速度快

·氮气消耗少

·测试速度快

·两种操作模式可选:氮气保护或抽真空