日本进口HORIBA堀场在线椭偏仪
日本HORIBA（堀场）在线椭偏仪‌（In-situ Ellipsometer）是一类专为‌半导体制造、光伏生产、平板显示及先进材料镀膜工艺‌设计的‌原位、实时、非接触式薄膜监控系统‌，能够在真空腔体或反应环境中对薄膜生长过程进行连续、高精度的动态测量，实现从研发到量产全过程的闭环质量控制。

日本进口HORIBA堀场在线椭偏仪

日本HORIBA（堀场）在线椭偏仪‌（In-situ Ellipsometer）是一类专为‌半导体制造、光伏生产、平板显示及先进材料镀膜工艺‌设计的‌原位、实时、非接触式薄膜监控系统‌，能够在真空腔体或反应环境中对薄膜生长过程进行连续、高精度的动态测量，实现从研发到量产全过程的闭环质量控制。

该系列设备的核心价值在于将高灵敏度椭偏测量技术与工业自动化深度融合，支持在‌不破坏工艺环境‌的前提下，对薄膜的‌厚度、生长速率、光学常数（n, k）、结晶过程、界面演化‌等关键参数进行毫秒级实时追踪，显著提升工艺稳定性与产品良率。

核心型号与技术特点

1. ‌UVISEL Plus In-situ：高灵敏度原位椭偏仪‌

‌光谱范围‌：‌190–2100 nm‌（FUV 到 NIR），覆盖从深紫外到近红外的宽谱段，适用于多种材料体系。

‌核心技术‌：采用‌相位调制技术（PEM）‌，无机械旋转部件，具备‌超高信噪比与长期稳定性‌，适合复杂工业环境。

‌快速采集能力‌：搭载 ‌FastAcq™ 技术‌，单点全谱扫描时间低至 ‌50 毫秒/点‌，可捕捉薄膜生长的瞬态过程（如 ALD 原子层沉积）。

‌高灵敏度‌：可检测‌小于 1 nm 的超薄膜层‌或界面变化，甚至能分辨多层结构中的微小成分偏析。

‌原位集成设计‌：

支持通过 ‌CF35 或 KF40 法兰‌直接接入 PVD、CVD、ALD、MOCVD 等工艺腔体。

可选配‌石英窗或光纤探头‌，实现远程光路耦合，避免高温、等离子体对仪器损伤。

‌数据同步输出‌：支持与工艺控制系统（如 PLC、MES）对接，实现实时反馈调节（如自动终止沉积、调整气体流量）。

2. ‌Smart SE In-situ：智能型在线监控椭偏仪‌

‌定位‌：面向‌中低端产线与教学科研场景‌，强调易用性与成本效益。

‌光谱范围‌：‌450–1000 nm‌，适用于常见透明/半透明薄膜（如 SiO₂、SiNx、ITO）的生长监控。

‌特点‌：

模块化设计，支持‌离线调试与在线部署自由切换‌。

配备‌一键式操作软件‌，非专家用户也可快速上手。

支持‌多点 Mapping 与时间序列分析‌，生成生长曲线与均匀性热图。

日本进口HORIBA堀场在线椭偏仪

VS印相位调制型光谱椭偏仪是一款可在线测量薄膜厚度和光学特性的设备，可为客户听过定制化交钥匙工程。它的测试速度快，50ms即可获得数据，可有力的监控整个膜的均匀性。

UVISEL的激发和收集头设计非常容易耦合到辊对辊系统中，同时软件具有先进的通信能力满足辊对辊生产。

软件便于操作人员控制。按钮操作启动流程，提供在线的薄膜厚度和光学特性信息以及可追溯的结果。通过使用UVISEL，保证了高生产率和低停机时间。开发的专属算法确保在停电时也可得到可靠的数据。

针对使用辊对辊系统的柔性太阳能电池、柔性显示器和照明以及柔性超高屏障的苛刻需求，UVISEL在线光谱椭偏仪保证了薄膜质量控制。

概要/配置

·超快速测试，可达50ms

·用户友好

·可靠的数据

·集成简单，多辊对辊加工能力