日本HORIBA堀场同步辐射、FEL 和 EUV 光栅
日本HORIBA（堀场）同步辐射、自由电子激光（FEL）和极紫外（EUV）光栅‌是专为高能物理、前沿光源与下一代光刻技术设计的‌顶级科研级衍射光栅‌，广泛应用于同步辐射装置、自由电子激光器（FEL）及极紫外（EUV）光刻系统中。

日本HORIBA堀场同步辐射、FEL 和 EUV 光栅

日本HORIBA（堀场）同步辐射、自由电子激光（FEL）和极紫外（EUV）光栅‌是专为高能物理、前沿光源与下一代光刻技术设计的‌顶级科研级衍射光栅‌，广泛应用于同步辐射装置、自由电子激光器（FEL）及极紫外（EUV）光刻系统中。

该系列光栅基于HORIBA旗下Jobin Yvon的百年光学技术积淀，采用全息记录与离子束刻蚀工艺制造，具备‌超低沟槽粗糙度、高效率均匀性与优异波前保真度‌，是实现高分辨率、高通量光谱分析的核心元件。

核心技术优势

‌超低沟槽粗糙度‌：

采用‌全息记录+离子束刻蚀‌（Ion-Beam Etching）技术，实现沟槽表面粗糙度低至 ‌~0.2 nm RMS‌，显著降低散射噪声，提升信噪比，适用于微弱信号探测场景。

‌高效率与均匀性‌：

光栅在‌同步辐射、FEL和EUV光源‌下表现出衍射效率一致性，支持在宽波段范围内进行高效分光，尤其适用于‌软X射线紫外波段（EUV, 13.5 nm）‌ 的高精度实验。

‌可变线间距（VLS）与可变沟深（VGD）设计‌：

支持‌变线间距（Variable Line Spacing, VLS）‌ 和 ‌变沟深（Variable Groove Depth, VGD）‌ 定制，可实现色散与聚焦一体化，优化光路设计，减少光学元件数量，提升系统集成度。

‌多样化基底与面型‌：

‌基底材料‌：可选‌硅（Si）、熔融石英（Fused Silica）‌，具备优异热稳定性与机械强度。

‌面型‌：支持‌平面、球面、柱面、环形（toroidal）‌ 等多种几何结构，适配不同光路需求。

‌高真空与抗辐照性能‌：

光栅结构与镀膜（如‌金Au、镍Ni、铂Pt‌）经过特殊处理，可在‌超高真空环境‌（<10⁻⁹ mbar）和强辐射条件下长期稳定运行，适用于空间飞行与大科学装置。

日本HORIBA堀场同步辐射、FEL 和 EUV 光栅

HORIBAScientific全息Lamellar光栅具有超低的刻线粗糙度和独特的效率均匀性，使其成为同步辐射光源、自由电子激光器(FEL)、EUV 或软X射线光源的理想选择。

全息和离子刻蚀工艺使我们能够定制刻槽形状和分布，使其具有:

·等线距或可变线距(VLS)

·等线距或可变刻槽深度(VGD)

刻线密度:高达4000gr/mm

尺寸:最大500mm

基材:硅、熔融石英

基板形状:平面、球形、圆柱形、环形

VLS或等线距

超低凹槽粗糙度:~0.2nm RMS

镀膜:Au、Ni、Pt(其他镀膜应要求提供)