进口DNK大日本科研无掩膜曝光装置MX-1201‌ 是一款专为研究开发、试作及小批量生产设计的直写式曝光设备，广泛应用于‌PCB、高密度封装、平板显示（FPD）和MEMS‌等微细加工领域。

进口DNK大日本科研无掩膜曝光装置MX-1201‌ 是一款专为研究开发、试作及小批量生产设计的直写式曝光设备，广泛应用于‌PCB、高密度封装、平板显示（FPD）和MEMS‌等微细加工领域。

该装置采用DNK「Point Of Array」高速描画技术，无需传统光刻掩膜，直接通过数字控制激光束在基板上绘制图形，显著‌降低研发成本并缩短产品上市周期‌。

其核心优势包括：

支持‌5μm级最小线宽‌（受光刻胶与显影条件影响）

数据分辨率达‌0.5μm‌，确保图形精度

最大可处理‌200×200mm²基板‌，有效曝光范围全覆盖

激光主波长为‌405±5nm‌，适配多种光刻胶材料

曝光扫描速度高达‌43.9mm/s‌，提升作业效率

MX-1201特别适用于高校实验室、科研机构及半导体中试产线，是实现快速原型验证的理想选择。由于无需制作物理掩膜，尤其适合多品种、小批量的研发场景，避免高昂的掩膜成本浪费。

进口DNK大日本科研无掩膜曝光装置MX-1201‌ 

主要特长

·能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。

·能够对应半导体、电子零件、屏幕遮罩、金属面具、PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。

·由于在光刻工艺中不需要掩膜，因而可以最大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。

 ·此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。

主要规格