国内代理 DNK大日本科研无掩膜曝光装置
进口DNK大日本科研无掩膜曝光装置MX-1201E‌ 是一款面向微细加工领域的高精度直写曝光设备，专为‌研发、试制及小批量生产‌场景设计，广泛应用于‌PCB、高密度封装、平板显示（FPD）和MEMS‌等先进制造领域。

国内代理 DNK大日本科研无掩膜曝光装置

进口DNK大日本科研无掩膜曝光装置MX-1201E‌ 是一款面向微细加工领域的高精度直写曝光设备，专为‌研发、试制及小批量生产‌场景设计，广泛应用于‌PCB、高密度封装、平板显示（FPD）和MEMS‌等先进制造领域。

该设备采用DNK「Point Of Array」高速描画技术，通过激光束直接在基板上动态绘制图形，‌无需使用传统光刻掩膜‌，从而大幅降低研发成本、缩短产品开发周期，特别适合多品种、小批量的创新项目。

核心性能亮点包括：

‌最小线宽可达3μm‌（受光刻胶与显影工艺影响）

数据分辨率达‌0.25μm‌，确保图形精细度与一致性

支持最大‌200×200mm²基板尺寸‌，有效曝光范围全覆盖

激光主波长为‌405±5nm‌，适配主流紫外光刻胶体系

配备单光学引擎，曝光扫描速度为‌10.9mm/s‌，兼顾精度与效率

MX-1201E在结构上可根据客户需求进行定制化配置，灵活适配不同工艺流程，是高校实验室、科研机构及半导体中试平台实现快速原型验证的理想选择。

国内代理 DNK大日本科研无掩膜曝光装置

主要特长

·能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。

·能够对应半导体、电子零件、屏幕遮罩、金属面具、PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。

·由于在光刻工艺中不需要掩膜，因而可以最大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。

·此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。