代理DNK大日本科研基板用近接曝光装置
大日本科研（DNK）基板用近接曝光装置‌是一类高精度、高速度的半导体与显示面板制造核心设备，广泛应用于触摸屏、彩色滤光片、有机EL、C-STN、电子纸等领域的量产工艺中。

 代理DNK大日本科研基板用近接曝光装置

大日本科研（DNK）基板用近接曝光装置‌是一类高精度、高速度的半导体与显示面板制造核心设备，广泛应用于触摸屏、彩色滤光片、有机EL、C-STN、电子纸等领域的量产工艺中。

该系列设备采用非接触式近接曝光技术，结合直读式间隙传感器与高速图像处理系统，可在标准规格下实现约‌20秒节拍时间‌的高效曝光处理（不含曝光时间），显著提升生产效率。

主要型号与特点：

‌MA-5501ML / MA-5701ML（水平式）‌

基板尺寸：370×470mm（G1）至550×650mm（G3）

光源：超高压水银灯（2kW/3.5kW/5kW 或 10kW）

特点：支持非接触预对位至自动对位，配备边缘传感器和间隙传感器，确保高精度对位与稳定曝光。

适用：中小尺寸基板的高精度曝光需求。

‌MA-6701ML / MA-6801ML（立式）‌

基板尺寸：最大可达1100×1300mm（G5）

光源：8kW 或 18kW 超高压水银灯

特点：采用垂直结构设计，减少因自重导致的掩膜与基板变形，提升转印精度；本体与光源分离，降低热影响；可选配温控机房、掩膜冷却系统等，防止热伸缩。

适用：大尺寸基板（如PDP、CF）的均匀一次性曝光。

‌超大型基板用直立型曝光装置‌

可实现42英寸16面的均匀曝光，适用于大型显示面板制造。

核心优势：

‌高精度对位‌：利用非接触光学间隙传感器与高速图像处理技术，实现微米级对位精度。

‌高速生产‌：节拍时间约20秒，适合大规模量产。

‌热管理优异‌：本体与光源分离，配合温控系统，有效控制温度变化。

‌扩展性强‌：支持选配掩膜存放库（最多5张）、基板台温度调控、掩膜冷却等模块，满足多样化工艺需求。

 代理DNK大日本科研基板用近接曝光装置

主要特长

·能够进行节拍时间约20秒(标准规格机，对位容许值设定为0.5um时。不含曝光时间。)的高速曝光处理。

·利用直读式间隙传感器与独自的控制系统,能够高速度和高精度地设定掩膜与基板间的近接间隙。

·可配置严格控制处理部位温度环境的温控机房。为了防止因热而引起的基板伸缩,还可选用基板台温度调控系统。

·可选择配置基板台温度控制系统及掩膜冷却系统，以防止掩膜及玻璃基板因温度差而引起的伸缩。(选购项)

 ·能够装载存放5张掩膜的掩膜存放库。