DNK大日本科研基板用直立型近接曝光装置
‌大日本科研（DNK）MA-6701ML基板用直立型近接曝光装置‌是一款专为大尺寸显示面板制造设计的高精度、高速度曝光设备，广泛应用于触摸屏、彩色滤光片、有机EL、C-STN及电子纸等领域的量产工艺中。

DNK大日本科研基板用直立型近接曝光装置

‌大日本科研（DNK）MA-6701ML基板用直立型近接曝光装置‌是一款专为大尺寸显示面板制造设计的高精度、高速度曝光设备，广泛应用于触摸屏、彩色滤光片、有机EL、C-STN及电子纸等领域的量产工艺中。

该设备采用‌垂直式结构设计‌，将掩模与基板竖直放置，有效减少因自重引起的弯曲变形，无需额外进行偏转校正，从而实现更稳定、更简单的装置运行。同时，主机与光源单元分离，避免光源热量传导至主体，显著改善设备内部热分布，提升曝光稳定性。

核心参数与特性：

‌基板尺寸‌：最大支持 ‌550 × 650 mm‌（G3～G5级）

‌掩模尺寸‌：620 × 720 × t8.0 mm

‌光源类型‌：8千瓦超高压汞灯

‌对位方式‌：非接触预对位 → 自动对位（具备感应功能）

‌节拍时间‌：约 ‌20秒‌（不含曝光时间），适合高速量产

‌可选配置‌：

掩模冷却系统

基板台温度控制系统

热室

特殊对准照明

‌其他功能‌：

支持内嵌水平输送式前后处理设备，便于集成到自动化产线

可安装容纳5张掩模的掩模库，提升换模效率

采用独特光学系统，使影响图案转印精度的二偏角小于常规值的一半，显著提高转印准确度

应用场景：

适用于高精度要求的大尺寸基板曝光，如：

液晶显示器（LCD）彩色滤光片制造

有机发光二极管（OLED）面板生产

触摸屏与电子纸等新型显示技术

其垂直构造和热管理优化设计，特别适合对温度敏感、需高均匀性曝光的工艺环境。

DNK大日本科研基板用直立型近接曝光装置

主要特长

·直立配置掩膜台/基板台。不需补正由掩膜/掩膜台/基板台的自身重量而造成的弯曲变形,构造简单，安定性高。

·采用新型光学系统,使影响图形转印精度的倾斜角降低至过去的一半以下(与本公司装置相比),可实现更高精度的图形转印。

·分离本体与光源部。光源的热量传递不到本体,改善了本体部的热量分布水准。

·为了防止因掩膜及玻璃基板的温度差造成的伸缩变形,可选择基板台温度控制系统及掩膜冷却系统。(选购项)

·最大基板尺寸为1,200mmx1,400mm。通过独自的光学系统实现了均匀的一次性曝光。

 ·能够装载存放5张掩膜的掩膜存放库