国内代理 DNK大日本科研基板用近接曝光装置
大日本科研（DNK）MA-5111ML基板用接近式曝光装置‌是一款专为G1～G4.5代显示基板设计的高精度、高速度量产型曝光设备，广泛应用于触摸屏、彩色滤光片、有机EL、C-STN及电子纸等先进显示技术的图形转印工艺中。

 国内代理 DNK大日本科研基板用近接曝光装置

大日本科研（DNK）MA-5111ML基板用接近式曝光装置‌是一款专为G1～G4.5代显示基板设计的高精度、高速度量产型曝光设备，广泛应用于触摸屏、彩色滤光片、有机EL、C-STN及电子纸等先进显示技术的图形转印工艺中。

该设备采用‌非接触式接近曝光技术‌，配备边缘传感器与间隙传感器，实现掩模与基板间的高精度对位与稳定间隙控制，确保图案转印的一致性与良率。节拍时间约‌20秒‌（不含曝光时间），满足大规模生产对效率的严苛要求。

核心参数与技术优势：

‌基板尺寸‌：最大支持 ‌730 × 920 mm‌，适用于G1～G4.5级大型基板

‌光源系统‌：可选配2千瓦、3.5千瓦或5千瓦超高压汞灯，提供高强度、均匀的曝光能量

‌对位方式‌：非接触预校准 → 自动对位（具备感应功能），实现高速高精度对准

‌间隙控制‌：采用直读式间隙传感器与控制系统，可高速、高精度设定掩模与基板间的接近间隙

‌温控设计‌：

配备严格控制加工部位温度的环境室

可选配基板台温度控制系统，防止因热膨胀导致的基板伸缩

可选掩模冷却系统，避免因温差引起的掩模与玻璃基板变形

‌自动化支持‌：可安装容纳5张掩模的掩模库，提升换模效率，支持全自动产线集成

‌适用工艺‌：特别适合触摸屏、彩色滤光片、有机EL等需高均匀性与高稳定性的曝光制程

  国内代理 DNK大日本科研基板用近接曝光装置

主要特长

·能够进行节拍时间约20秒(标准规格机，对位容许值设定为0.5um时。不含曝光时间。)的高速曝光处理。

·利用直读式间隙传感器与独自的控制系统,能够高速度和高精度地设定掩膜与基板间的近接间隙。

·可配置严格控制处理部位温度环境的温控机房。为了防止因热而引起的基板伸缩,还可选用基板台温度调控系统。

·可选择配置基板台温度控制系统及掩膜冷却系统，以防止掩膜及玻璃基板因温度差而引起的伸缩。(选购项)

·能够装载存放5张掩膜的掩膜存放库