DNK大日本科研超大型基板用直立型曝光装置
大日本科研（DNK）超大型基板用直立型曝光装置‌是一款专为超大尺寸显示面板（如PDP、OLED、LCD等）设计的高精度、高稳定性近接曝光设备，适用于42英寸16面等基板的‌一次性均匀曝光‌，广泛应用于显示器件的量产制程中。

DNK大日本科研超大型基板用直立型曝光装置

大日本科研（DNK）超大型基板用直立型曝光装置‌是一款专为超大尺寸显示面板（如PDP、OLED、LCD等）设计的高精度、高稳定性近接曝光设备，适用于42英寸16面等大级基板的‌一次性均匀曝光‌，广泛应用于显示器件的量产制程中。

实现大型基板(42英寸16面)均匀曝光的近接曝光机。

主要特长:

·支撑高精度的独自技术

<光学间隙传感器>在非接触的条件下,高速度和高精度地设定近接间隙。

<高速图像处理技术>掩膜以及掩膜与基板的高精度对位。

稳定搬送

直立配置掩膜台和基板台,不需要补正因掩膜和掩膜台以及基板台的自身重量而造成的弯曲变形。

无尘措施

在无尘化要求更加严格的CF用曝光装置等的经验和设计的基础上,采取了减少驱动部微粒子发生及考虑到气流的无尘对策。

技术：

1.能够进行大型基板的全面一次性曝光。

2.在曝光面上掩膜与基板为垂直构造，不需要补正自重形成的弯曲变形。

3.使用本公司研发的非接触光学间隙传感器，能够高速度和高精度地设定掩膜与基板问的近接间隙。

4.使用非接触边缘传感器,能够对基板进行高精度的预对位。

5.利用独自的高速图像处理技术,能够对掩膜以及掩膜与基板的相对位置进行高精度的对位。

6.采用低倾斜角的光学系统,改善了转印精度。

7.利用独自的镜面光学系统设计,实现全面且均匀的平行光照射。

8.本体与光源部分离的构造,降低了对本体部的热量影响。

DNK大日本科研超大型基板用直立型曝光装置

该装置采用‌垂直式结构设计‌，将掩模与基板竖直放置，有效避免因自重导致的掩模、掩模台及基板台弯曲变形，无需额外补偿校正，从而实现更简单、更稳定的系统运行。主机与光源单元分离，显著降低热传导对主体的影响，提升热分布均匀性与曝光重复精度。

核心技术优势：

‌全面一次性曝光‌：支持超大型基板（如42英寸16面）的整板曝光，提升效率与图形一致性

‌非接触式高精度间隙控制‌：搭载自主研发的‌光学间隙传感器‌，可在非接触条件下高速、高精度设定掩模与基板间的近接间隙

‌高速图像处理对位技术‌：实现掩模自身及掩模与基板之间的高精度自动对位，支持多层叠加曝光需求

‌低倾斜角光学系统‌：采用独特镜面光学设计，实现全面且均匀的平行光照射，转印精度更高

‌无尘化设计‌：基于CF（彩色滤光片）等高洁净要求设备的经验，优化气流布局，减少驱动部件微粒产生，满足高等级无尘室标准

‌热管理优化‌：

可配置温控机房，严格控制处理区域温度环境

可选配‌基板台温度控制系统‌与‌掩模冷却系统‌，防止因温差引起的材料伸缩变形