日本进口DNK大日本科研其他量产用曝光装置
大日本科研（DNK）‌ 除了 MA-5111ML 和超大型基板用直立型曝光装置外，还提供多款面向不同量产场景的高性能曝光设备，覆盖化合物半导体、MEMS、FPD、电子纸、柔性基板等多个领域，满足从中小尺寸到高密度封装的多样化生产需求。

 日本进口DNK大日本科研其他量产用曝光装置

大日本科研（DNK）‌ 除了 MA-5111ML 和超大型基板用直立型曝光装置外，还提供多款面向不同量产场景的高性能曝光设备，覆盖化合物半导体、MEMS、FPD、电子纸、柔性基板等多个领域，满足从中小尺寸到高密度封装的多样化生产需求。

1. ‌化合物半导体曝光装置（Mask Aligner）MA-4000‌

专为化合物半导体（如GaAs、GaN、SiC）制造设计，适用于LED、LD、功率器件等高精度图形转印。

‌核心特点‌：

支持 Ø2～6 英寸晶圆，可定制更大尺寸

采用‌原创平行化机构‌，实现掩模与晶圆间高精度接近间隙控制（精度达±0.5μm）

‌高速图像处理对位技术‌：支持薄型、翘曲或易碎晶圆（如石英、GaAs）的自动对准

‌真空吸盘固定‌：通过背面真空吸附实现晶圆高速、稳定传输与曝光

可选‌接触曝光‌（软/硬接触）与‌近接曝光‌模式，适配不同工艺需求

‌适用领域‌：

LED外延片电极制作

射频器件、功率半导体光刻

微型传感器、光电子器件量产

MA-4000产品详情

2. ‌G3～G5基板用直立型近接曝光装置 MA-6701ML / MA-6801ML‌

针对G3～G5代显示基板（如TFT-LCD、OLED）开发，采用垂直结构设计，提升系统稳定性与曝光均匀性。

‌核心参数‌：

‌基板尺寸‌：MA-6701ML 支持 550×650mm，MA-6801ML 支持 650×750mm

‌光源功率‌：8kW 超高压汞灯，确保大面积高均匀曝光

‌垂直构造‌：掩模与基板竖直放置，消除自重弯曲，无需补偿校正

‌光学系统‌：低倾斜角设计，转印精度提升至传统机型的2倍

‌热管理‌：主机与光源分离，减少热干扰；可选配‌基板温控‌与‌掩模冷却系统‌

‌自动化支持‌：可搭载5片掩模库，支持全自动产线集成

 日本进口DNK大日本科研其他量产用曝光装置

把涂有光刻胶的基板与掩膜重叠光刻图形的曝光装置。

主要特长

可进行基板整面一次性曝光的自动近接曝光系统。

适合液晶、陶瓷电容器,热感应打印头等,根据客户需求进行设计。

附有自动对位功能(MA-4000)