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产品型号:S13620
更新时间:2026-07-15
厂商性质:代理商
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HAMAMATSU 滨松光子,全称滨松光子学株式会社(Hamamatsu Photonics K.K.),日本全球顶尖光子科技企业,1953 年创立,总部静冈县滨松市,是光电子、射线检测、激光设备领域龙头厂商,核心产品线,光电倍增管 PMT,光半导体器件,X 射线 / 射线发生装置,激光器与光学仪器,整机检测设备。
适用于非破坏性 X 射线检查的背照式光电二极管阵列,适合平铺结构
S13620-02 是一款 8 × 8 像元硅光电二极管阵列,具有背照式结构,用于 X 射线非破坏性检测。背照式光电二极管阵列易于处理,因为入射表面没有焊线或受光面。您可以安装闪烁体,而无需担心损坏配线。此外,产品周围设计有最小的死区,以便并排排列多个产品。通道之间没有串扰。
特点
-二维(8 × 8 像元)阵列
-光谱响应范围:400 至 1100 nm
-封装尺寸:24 (W) × 24 (H) mm
-像元间距:3.0 mm × 64 像元
-易于与闪烁体耦合
因为受光面没有配线,并且与闪烁体的光学耦合效率可以大化,因此适用于非破坏性 X 射线检查设备。

详细参数:
| 像元尺寸(每个像元) | 2.5 × 2.5 mm |
|---|---|
| 像元数 | 64 |
| 封装 | 玻璃环氧树脂 |
| 封装类别 | 未密封 |
| 闪烁体类型 | 无 |
| 制冷 | 非冷却型 |
| 反向电压(最大值) | 10 V |
| 灵敏度波长范围 | 400 至 1100 nm |
| 最大灵敏度波长(典型值) | 960 nm |
| 感光灵敏度(典型值) | 0.61 A/W |
| 暗电流(最大值) | 300 pA |
| 上升时间(典型值) | 15 μs |
| 结电容(典型值) | 60 pF |
| 备注 | 这些产品也可作为闪烁体安装产品(定制产品)提供,如 CsI (Tl)、磷光片、GOS 和 CWO。请就近咨询滨松销售办事处。 |
| 测量条件 | Ta = 25°C,每个像元,感光灵敏度:λ = 920 nm |
外形尺寸图:
像元排布:8 行 ×8 列,总计 64 个独立 PD 通道
单像元整体尺寸:2.8 mm × 2.8 mm;有效感光面积:2.5 mm × 2.5 mm
像元中心间距:3.0 mm
整体封装尺寸:24 mm × 24 mm 方形玻璃环氧树脂封装
结构工艺:背照式,感光入射侧无键合金丝,贴合闪烁体不会损伤引线,耦合效率高;器件四周死区极小,多片可无缝拼接扩展二维探测面
光谱响应范围:400 ~ 1100 nm(无深紫外响应)
峰值响应波长:960 nm,典型光敏度 0.61 A/W
极限反向耐压:10 V
单像元最大暗电流:300 pA
典型结电容:60 pF,上升时间 15 μs
工作温度:-20℃ ~ +60℃(无凝露环境)
出厂标配:无预贴闪烁体裸片,型号仅 S13620-02 一款,需自行搭配 CsI/GOS 等闪烁体实现 X 光探测
二维 8×8 面阵设计:可直接获取平面光强分布,一维线阵仅能采集单条线性信号
背照无引线结构:闪烁体贴合简单,工业震动环境不易损坏,X 光转换均匀度高
低通道串扰隔离工艺,64 通道信号独立输出,成像无相邻像素信号干扰
模块化拼接能力:多块方形阵列并排,可做大尺寸二维 X 光成像面板
单像元感光面积大,弱 X 射线 / 弱可见光下信噪比表现优秀
X 射线二维无损检测:小件工件平面探伤、锂电池方形极片缺陷成像、小型安检成像模组
光学测量:激光光束二维轮廓分析、光斑能量分布检测、多通道平面测光
科研光学实验:二维光场分布、荧光平面成像采集