DNK大日本科研化合物半导体用曝光装置
MA-4000‌是一款专为高精度光刻工艺设计的立式接近式曝光设备，广泛应用于LED、激光二极管、功率器件等化合物半导体的研发与中试生产。

  DNK大日本科研化合物半导体用曝光装置

MA-4000‌是一款专为高精度光刻工艺设计的立式接近式曝光设备，广泛应用于LED、激光二极管、功率器件等化合物半导体的研发与中试生产。

该设备通过将涂有光刻胶的基板与掩膜精确对位并进行紫外光曝光，实现微米级图形的转移。其核心优势在于高精度、高稳定性和自动化操作：

‌对位精度高‌：采用X・Y・θ对位台与显微镜系统，结合高速图像处理技术，实现‌±1 μm（峰值搜索）‌的自动对位精度，确保多层曝光的精准套刻。

‌曝光间隙控制精准‌：搭载独特的平行调整机构，可高精度设定掩膜与晶圆（Wafer）间的近接间隙，支持软接触、硬接触及接近式曝光模式，适应不同工艺需求。

‌自动化程度高‌：支持基板自动供给、对位、曝光与排出，提升工艺一致性与生产效率，适合科研与小批量量产场景。

‌兼容多种基板‌：支持Ø2″～Ø4″和Ø4″～Ø6″晶圆尺寸，掩膜尺寸为□5″或□7″，光源采用500W或1kW超高压水银灯，满足多样化材料体系（如GaAs、GaN）的工艺要求。

‌可选配置灵活‌：提供背面对位、生产管理系统（D-Net）、基板破裂检测等选配功能，便于集成到洁净室产线并实现数据追溯。

DNK大日本科研化合物半导体用曝光装置

主要特长

·采用独自的平行调整机构,能够高精度地设定掩膜与Wafer间的近接间隙。

·利用独自的高速图像处理技术,实现高精度的对位。

·利用图像处理技术,使预对位可对应薄型基板或翘曲基板及水晶等易碎Wafer(选购项)。

·利用独自的接触压力精密控制机构,能够使Wafer与掩膜高精度地接触。

·通过Wafer的背面真空吸着方式,实现高速度和高精度以及稳定的自动搬送。