进口DNK大日本科研Ø200mm 兼容曝光机
‌进口DNK大日本科研化合物半导体用Ø200mm曝光机‌是专为高精度光刻工艺设计的关键设备，广泛应用于LED、激光二极管（LD）、功率器件等化合物半导体的研发与小批量生产，支持‌Φ200mm（8英寸）晶圆‌的高效图形转移。

进口DNK大日本科研Ø200mm 兼容曝光机

‌进口DNK大日本科研化合物半导体用Ø200mm曝光机‌是专为高精度光刻工艺设计的关键设备，广泛应用于LED、激光二极管（LD）、功率器件等化合物半导体的研发与小批量生产，支持‌Φ200mm（8英寸）晶圆‌的高效图形转移。

该系列以‌MA-4301M‌为代表型号，具备以下核心特性：

‌高精度对位能力‌：采用X・Y・θ自动对位系统，结合高速图像处理技术，实现‌±1 μm（峰值搜索）‌的对位精度，确保多层曝光的精准套刻。

‌灵活曝光模式‌：支持软接触、硬接触及接近式曝光（Proximity exposure），可根据工艺需求灵活选择，节拍时间低至‌19秒/片‌（单批次补偿）。

‌稳定光学系统‌：搭载镜面光学系统灯房（Lamp House），确保照射面内高均匀性与高照度，提升曝光一致性。

‌自动化与扩展性‌：配备自动掩膜更换机，支持掩膜库存储；可选装冷却机构实现基板台与掩膜的温度管理，适用于高稳定性生产环境。

‌宽兼容性‌：支持Si、Glass等多种基材，晶圆尺寸覆盖Φ6″（150mm）与Φ8″（200mm），满足多种研发与中试需求。

此外，设备本体尺寸为‌W 1800 × D 1650 × H 2015 mm‌，总重量约‌1400 kg‌（含灯房），适合集成于洁净室环境。

进口DNK大日本科研Ø200mm 兼容曝光机

主要特长

·利用本公司高速图像处理技术，实现了Wafer与掩膜的高精度对位。

·装载机侧和卸载机侧最多可设置两个篮具(选购项)。

·备有冷却机构，可进行基板台与掩膜的温度管理(选购项)。

·搭载本公司镜面光学系统爆光灯房(LAMPHOUSE)。从而实现了照射面内的均匀性以及高照度。

·搭载非接触预对位系统(PREALIGNER)。从而实现了高精度进给且保证基板不受任何损伤。

 搭载有自动掩膜更换机。并可支持掩膜存放库。

主要规格